有段视频演示了对芯片封装进行去封装（decapping）的思路，展示了在相对温和的条件下逐步暴露内部晶圆与引线的过程。整个过程分为预处理与化学腐蚀两大阶段。

1. 预处理

为加速封装去除，先以机械方式打磨去除芯片顶层环氧材料。最初用手持砂轮打磨，速度虽快但不易控制，容易损伤芯片和内部引线；因此改用数控机床以实现更高的深度控制与均匀性，减少对结构的损坏。随后对DIP14封装的顶部进行切铣，在顶面形成一个供后续处理的凹槽。

2. 加工前的准备

预打磨完成后，将芯片放入陶瓷坩埚，准备进入加热腐蚀阶段。需设定合适的切削深度，以避免内部金丝断裂，使芯片保持可观测状态。

3. 加热腐蚀

在清理掉表面粉尘后，在凹槽内滴加浓硝酸进行腐蚀。若在室温下反应较慢，可将坩埚放置在加热板上加热，温度通常调至100至150摄氏度。腐蚀过程中需不断补充硝酸，以维持顶部窗口区域的液体流动。随着腐蚀深入，接触到内部金属时会出现黄色烟雾。

4. 清洗与观察

经过若干轮腐蚀后，定期取出芯片并使用丙酮清洗表面残留物。经过多轮腐蚀与清洗，芯片内部晶圆与绑定金属线逐步暴露出来旋乐吧spin8。随后可在显微镜下对不同腐蚀阶段暴露的内部结构进行观察，放大观察后更易理解其微观构造。此类过程通常需要高浓度硝酸，一般在68%及以上。

5. 结语

芯片一旦被暴露，后续的研究方向便由个体兴趣决定，可能是通过探针了解内部信号，或开展其他相关分析。