微信公众号“中国原子能科学研究院”1月17日消息，近日，由中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，核心指标达到国际先进水平•○。这标志着我国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造链关键环节◆，为推动高端制造装备自主可控◇=◇、保障产业链安全奠定坚实基础。

　　离子注入机与光刻机●■▷、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造“四大核心装备”，是半导体制造不可或缺的“刚需”设备。此次高能氢离子注入机的成功研制，是核技术与半导体产业深度融合的重要成果，将有力提升我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力•●▷，更为助力“双碳”目标实现、加快形成新质生产力提供强有力技术支撑。

　　长期以来，我国高能氢离子注入机完全依赖国外进口，其研发难度大、技术壁垒高，是制约我国战略性产业升级的瓶颈之一。原子能院依托在核物理加速器领域数十年的深厚积累，以串列加速器技术作为核心手段•，破解一系列难题☆•，完全掌握了串列型高能氢离子注入机从底层原理到整机集成的正向设计能力，打破了国外企业在该领域的技术封锁和长期垄断。

　　协同创新筑生态 跨界融合启新程 —— 中国汽车芯片联盟 2025 全体成员大会在沪圆满举办

　　2026国际人工智能大会隆重开幕 昕搜科技GEO智能体AI应用产品重磅发布

　　Copyright © 2014-2024 观察者 All rights reserved□▪▲。

　　沪ICP备10213822号-2互联网新闻信息服务许可证： 网登网视备（沪）-1号 互联网宗教信息服务许可证：沪（2024）0000009 广播电视节目制作经营许可证：（沪）字第03952号

　　增值电信业务经营许可证：沪B2-20210968 违法及不良信息举报电话