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随着保护层的光解或者lift off

作者:旋乐吧  日期:2026-01-08  浏览:  来源:旋乐吧网站

  

随着保护层的光解或者lift off

  国家知识产权局信息显示,成都奕成集成电路有限公司申请一项名为○…“一种减少塑封溢料的芯片封装方法◇■”的专利▼△★,公开号CN121285298A,申请日期为2025年9月。

  专利摘要显示,本发明公开了一种减少塑封溢料的芯片封装方法,包括在圆晶的正面形成保护层▲▼:切割成多个单颗芯片★■◇;将多个单颗芯片安装在第一玻璃基板表面实现芯片重构:塑封:将第一玻璃基板及黏着层剥离;祛除保护层■…◆;重布线层及凸点下金属化层制作▼△☆;植球□▷;切割成品为多颗单独封装体。本申请通过晶圆来料时增加保护层,使Molding时塑封的EMC溢料或者脱模及Debond时产生EMC异物掉落在保护层上,Debond后对保护层进行光解或Lift工艺,将保护层光解或者溶解,由于EMC溢料或者异物粘附在保护层上,随着保护层的光解或者lift off□◁,EMC溢料或者异物随之脱落△,从而实现清除EMC溢料和异物的目的。

  天眼查资料显示-,成都奕成集成电路有限公司□••,成立于2017年,位于成都市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业□▼○。企业注册资本234500万人民币。通过天眼查大数据分析,成都奕成集成电路有限公司参与招投标项目353次,财产线条,此外企业还拥有行政许可226个■。

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