【新智元导读】台积电悄悄按下了「2nm」量产启动键，标志着先进芯片制程正式迈入2nm时代，拉开了新一轮半导体技术竞赛的序幕-。

　　简单的一句话，背后是半导体技术物理极限的一次重大突破，标志着台积电2nm级制程进入量产阶段•，全球科技迈入了2nm芯片的新时代。

　　据台积电官方介绍，其N2技术采用了第一代纳米片晶体管（nanosheet transistor）技术。

　　与已经非常优秀的N3E工艺相比，N2技术在性能与功耗方面实现了全节点的显著提升▼▽○：

　　这意味着我们手中的智能手机、驱动AI世界的庞大算力、以及未来一切智能设备，都即将迎来一场性能革命。

　　此前台积电已多次表示N2芯片将于2025年第四季度按计划进入量产阶段，此举也意味着该项计划现已兑现▪●。

　　过去十年，从22nm到3nm▷，芯片行业一直依赖着一项名为「鳍式场效应晶体管」（FinFET）的关键技术☆▼。

　　你可以把它想象成一栋栋竖起来的「小鳍」○•，电流就像在这些鳍片构成的通道里穿行◇★，而栅极（Gate）从三面包裹着它◁▼▼，像一只手一样控制着电流的通断★▲◇。

　　「小鳍」变得越来越薄，漏电现象就像一个无法堵住的窟窿，让功耗与性能的平衡也越来越难以为继。

　　如果说FinFET是栅极从「三面」控制电流，而GAA纳米片晶体管的栅极可以将整个电流通道「四面」完全包裹起来。

　　该结构将原来的电流通道由竖立的「鳍」变成了水平堆叠的「纳米片」，栅极可以从四面「360度无死角拥抱」通道，好处也是显而易见▽★◇。

　　由于改善了静电控制，可以更精准地命令数以亿计的晶体管「开启」或「关闭」，大大减少了漏电，从而在根本上降低了功耗▽◇=。

　　这种堆叠的纳米片结构，让工程师们可以在同样的空间里，塞下更多的晶体管，最终提高晶体管密度。

　　相对于纯逻辑电路的设计●▼△，N2P（N2系列的延伸）工艺的晶体管密度比前代N3E提升了约20%。

　　据台积电公开资料及媒体转述，SHPMIM相对前代电容容量密度提升逾2倍，Rs/Rc降低约50%▼○，从而提高了功率稳定性、性能和整体能源效率。

　　GAA纳米片晶体管负责从源头「节流」□☆□，SHPMIM电容器负责为性能「开源」，两者结合，共同成就了N2工艺在性能与功耗上的双重飞跃▪。

　　台积电将N2工艺的量产地选在了位于台湾高雄的全新工厂——晶圆二十二厂（Fab 22），以及紧邻其位于台湾新竹全球研发中心的晶圆二十厂(Fab 20)。

　　通常•=，一项新工艺的产能爬坡，会先从技术相对成熟、尺寸较小的移动芯片开始，一步步摸索▼◁◁，稳扎稳打。

　　这些先进制程芯片很可能服务于高端智能手机、高性能计算（AI/HPC）等多个领域•。

　　一边是苹果等巨头每年需求量数以亿计的手机芯片，另一边是英伟达等客户设计的•…▽、尺寸巨大、结构复杂的AI和服务器芯片。

　　同时驾驭这两种截然不同、且都对良率要求极为苛刻的产品线，其难度也将呈指数级增加。

　　台积电CEO魏哲家在十月份的财报电线进展顺利，将于本季度晚些时候进入量产，且良率良好。我们预计在智能手机和高性能计算(HPC)、AI应用的推动下，2026年将实现更快的产能爬坡。」

　　从苹果的下一代iPhone■、Mac芯片☆，到英伟达、AMD的未来AI加速器，几乎所有顶尖科技巨头都对N2工艺表现出了「浓厚兴趣」，同时开启两座晶圆厂的产能也就势在必行了。

　　N2P在N2的基础上进一步提升了性能和功耗表现，计划于2026年下半年起进行量产■◁。

　　A16是台积电面向HPC/AI的下一步先进制程（与N2家族在架构与生态上紧密相关）。

　　它采用了超级电轨(Super Power Rail)背面供电技术▲，主要针对复杂的人工智能和高性能计算处理器，同样计划2026下半年起实现量产。

　　从N2的架构革命=，到N2P的持续优化▲◁，再到A16引入的背面供电技术■■，台积电的技术路线工艺进入量产，无疑是半导体行业的一个关键节点☆☆。

　　它标志着被誉为「后摩尔定律时代」最关键技术之一的环栅（GAA）纳米片晶体管架构，已由行业领导者成功导入大规模生产◆▷▽。

　　这不仅巩固了台积电在先进工艺制造领域的领先地位…□，也为全球依赖高性能计算的产业，从消费电子到人工智能，提供了下一阶段发展的坚实基础◆▲…。

　　当台积电迈入2nm（N2）门槛时，其主要竞争者——三星与英特尔等也在同步推进新一代晶体管技术•=。

　　早在台积电之前■●▽，2022年6月，三星宣布已在其3nm制程中率先将GAA（环栅）晶体管架构投入量产，成为全球首家在先进制程节点上实现GAA商用的晶圆厂。

　　与此同时▽◇，英特尔正在其Intel 18A节点中引入RibbonFET（GAA晶体管）与PowerVia（背面供电）两项关键技术。

　　据报道，该节点已于2025年进入早期生产阶段，并预计在2026年逐步扩大产能、实现更广泛的商业化应用。

　　英特尔以「RibbonFET+PowerVia」的组合推进性能与供电架构革新，率先应用于高复杂度CPU，试图在下一代制程竞赛中先发制人。

　　而台积电则是先用N2实现量产服务于大规模客户，而将进一步的技术突破放到N2P/A16等后续节点★。

　　此次台积电N2节点的量产○■…，更像是正式拉开了后FinFET时代、以GAA为核心的新一轮先进制程技术竞赛的序幕。