技术方面，中芯国际于2019年实现了14纳米FinFET工艺量产，成为全球少数掌握该技术的晶圆制造企业之一。在联席CEO梁孟松的领导下，公司积极向行业领先的台积电、三星展开“跳代”式追赶，开发的N+1、N+2工艺被业内视为接近8纳米和7纳米。格罗方德和联电放弃7纳米攻坚后，中芯国际成为晶圆代工领域先进制程的重要竞争者。

尽管遭遇美国多轮制裁，导致先进工艺研发和量产受限，公司逐渐调整战略，强化成熟工艺和特色工艺的发展，同时在北京、上海、深圳、天津等地建设多座12英寸晶圆厂，主攻28纳米及以上制程，规避制裁影响。

中芯国际成立于2000年4月，正值全球半导体行业低谷。彼时，费城半导体指数从高峰急剧下滑，反映行业整体的不景气。面对国内产业链薄弱和市场低迷，中芯国际逆势扩展，先后建设上海8英寸生产基地、北京12英寸生产基地，并完成0.18微米工艺认证与量产。2003年收购天津摩托罗拉晶圆厂，成立中芯天津，实现0.35至0.13微米技术全面认证和量产。

2004年，中芯国际实现首次盈利，并在港交所和纽交所上市，成为国际晶圆代工市场的重要力量。然而，随之而来的专利诉讼也阻碍发展。2003年起，台积电多次提起诉讼，双方在2005年和2009年曾达成和解。创始人张汝京离职和创始团队内纷争一度影响公司进展旋乐吧spin8。

2017年10月，梁孟松加入后，中芯国际的发展进入新阶段，实现工艺制程“跳代”式跨越，从28纳米直接迈入14纳米FinFET量产，并计划推动8纳米及7纳米技术研发。尽管随后美国政策加码制裁，公司仍在成熟工艺领域稳步前行。

2020年中芯国际登陆科创板时，正值芯片行业整体高景气，随后的“缺芯潮”让公司业绩表现亮眼。但2022年进入供应链调整期，芯片市场由“缺芯”转为“砍单”，导致产能利用率出现下降。2022年一季度产能利用率为100.4%，至三季度降至92.1%。与此同时，公司新建的多座12英寸晶圆厂正逐步投产，未来产能是否能够被市场消化，仍需观察。

历史上，中芯国际曾在行业低谷期选择逆势扩张，2000年至2002年间费城半导体指数连续下跌，而公司通过快速建设生产线实现突破。如今，面对半导体行业新的挑战，中芯国际能否重现当年逆势突围的局面，备受期待。