CXBD3555 是面向高功率三相电机控制的无刷驱动芯片，具备高耐压、快速切换、智能保护等核心能力，旨在提升大功率电机系统的可靠性与能效。

二、核心技术亮点

1. 超强耐压与精准驱动

- 采用专利的悬浮自举驱动，工作电压覆盖600V，典型值约为500V

- 三路独立半桥结构，支持多相位协同，驱动电流峰值为+0.6A/−1.2A

- 自适应输入接口，兼容5V/3.3V两种主流MCU控制信号

2. 多重安全防护体系

- 双路欠压监控，实时评估电源稳定性

- 智能闭锁机制，避免上下管同时导通带来的风险

- 纳秒级死区控制，典型约150ns，确保开关时序的精准性

3. 工业级系统集成

- 内置高精度LDO稳压器，输出5V@50mA旋乐吧spin8

- 宽供电范围8–20V，适应复杂工况

- 支持最高500kHz的高频PWM调制，提升整体能效

三、创新架构要点

- 采用紧凑的SSOP24封装，集成七大核心模块：逻辑信号处理、智能死区控制、多级电平位移、脉冲滤波、双通道驱动输出、动态闭锁保护、三级欠压检测

四、典型应用场景

- 工业机器人关节驱动

- 电动汽车动力总成控制

- 智能家用与商用永磁同步电机系统

- 数控机床主轴驱动

- 无人机电调系统

五、环境与可靠性

- 工作温度范围：-40°C 至 125°C

- 符合工业EMC标准，具备相关认证；通过车规级验证

- 采用无铅无卤工艺，符合ROHS2.0

六、工程应用要点

- 自举电容推荐使用1µF/100V的陶瓷电容

- 栅极电阻建议2.2–10Ω，按开关速度需求调整

- VCC去耦电容就近放置，建议≥22µF

- 散热区域锡覆盖率应≥60%

七、应用设计要点（要点概览）

- VCC端供电在8–15V范围内，配合不同MOS管选择合适的驱动电压

- 输入信号阈值：高阈值约2.5V，低阈值约1.0V，输出HO/LO实现上管下管的互锁与协同关断

- 自举驱动原理：通过外部自举二极管与自举电容实现高端N沟道MOS管的驱动电源，无需额外高压驱动源，简化实际应用设计