在经历较长时间的低谷后，上游厂商通过调整产能与供需关系，推动存储芯片价格回升并持续走强。为缓解供过于求的局面，相关厂商陆续降低NAND Flash产量与优化产线结构，市场供需回稳。与此同时，AI浪潮带来的新需求进一步放大了对高端存储的渴求。

HBM作为高带宽、低延迟的大容量DRAM解决方案，在AI服务器场景中展现出明显优势。HBM3E等新代产品的供货逐步展开，其在数据吞吐能力上的提升使其成为当前AI体系的重要支撑。全球三大主力厂商仍主导HBM的产能与技术路线，行业普遍面临产能紧张与需求快速放大的“双向压力”。

就市场结构而言，HBM在DRAM中的出货量虽处于较小环节，但其收入比重正在持续攀升。随着AI服务器对算力与带宽的双重需求提升，HBM在整个平台中的战略地位愈发突出，存储墙的作用因此被进一步放大。

为维持增长势头，头部厂商纷纷加注扩产，扩大先进封装与AI相关产品的研发投入旋乐吧spin8。近期规划显示，海外与本土产能扩展并行推进，意在确保AI芯片对高 bandwidth 存储的持续需求得到稳定供给。未来，HBM在总体DRAM出货中的份额预计将进一步提升，相关收入也将实现显著增长。

国内产业链亦在加速自给自足与自主创新的步伐。通过三维集成、先进封装等技术路线，国产高带宽存储器的容量、带宽与功耗控制等指标有望实现跃升，提升在全球市场中的竞争力。行业普遍预期，在AI、智能手机与PC等应用场景的带动下，国产存储芯片的产业化信心将逐步增强，格局有望向更高的自主可控方向发展。